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產品類型:
MOSFET
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型號
功能描述
柵極閾值電壓
漏源擊穿電壓
漏源導通電阻
溫度范圍
封裝形式
規格書
CYT06N021
先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS和低柵極電荷
1.11V~2.5V
最小60.1V
11~20mΩ
-40℃~175℃
TO252
暫無文件
CYT06N021I
先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS和低柵極電荷
1.11V~2.5V
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深圳市長運通半導體技術有限公司
公司網站:m.3r08y.cn
企業郵箱:cyt@cyt.com.cn
服務總機:4008-328-588(國際總機)/0755-86168222(國內)
公司傳真:0755-8616 9536
公司地址:深圳市寶安區新安街道興東社區69區洪浪北二路30號信義領御研發中心1棟1601-1608
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